･･･

• 문제은행
• 전자기사

문제은행 전자기사(2022년 2회) 46번

1 그림과 같이 점 O를 중심으로 반지름이 a(m)인 구도체 1과 안쪽 반지름이 b(m)이고 바깥쪽 반지름이 C(m)인 구도체 2가 있다. 이 도체계에서 전위계수 P11(1/F)에 해당하는 것은? 2 정전용량이 C0(μF)인 평행판의 공기 커패시터가 있다. 두 극판 사이에 극판과 평행하게 절반을 비유전율이 εr인 유전체로 채우면 커패시터의 정전용량 (μF)은? 3 유전율이 ε1과 ε2인 두 유전체가 경계를 이루어 평행하게 접하고 있는 경우 유전율이 ε1인 영역에 전하 Q가 존재할 때 이 전하와 ε2인 유전체 사이에 작용하는 힘에 대한 설명으로 옳은 것은? 4 정전용량이 20μF인 공기의 평행판 커패시터에 0.1C의 전하량을 충전하였다. 두 평행판 사이에 비유전율이 10인 유전체를 채웠을 때 유전체 표면에 나타나는 분극 전하량(C)은? 5 내구의 반지름이 a = 5cm, 외구의 반지름이 b = 10cm 이고, 공기로 채워진 동심구형 커패시터의 정전용량은 약 몇 pF 인가? 6 강자성체의 B-H 곡선을 자세히 관찰하면 매끈한 곡선이 아니라 자속밀도가 어느 순간 급격히 계단적으로 증가 또는 감소하는 것을 알 수 있다. 이러한 현상을 무엇이라 하는가? 7 자성체의 종류에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, χm는 자화율이고, μr는 비투자율이다.) 8 반지름이 2m이고, 권수가 120회인 원형코일 중심에서의 자계의 세기를 30 AT/m로 하려면 원형코일에 몇 A의 전류를 흘려야 하는가? 9 εr = 81, μr = 1 인 매질의 고유 임피던스는 약 몇 Ω 인가? (단, εr은 비유전율이고, μr은 비투자율이다.) 10 그림과 같이 평행한 무한장 직선의 두 도선에 I(A), 4I(A)인 전류가 각각 흐른다. 두 도선 사이 점 P에서의 자계의 세기가 0 이라면 a/b 는? 11 내압 및 정전용량이 각각 1000V –2μF, 700V –3μF, 600V –4μF, 300V -8μF인 4개의 커패시터가 있다. 이 커패시터들을 직렬로 연결하여 양단에 전압을 인가한 후, 전압을 상승시키면 가장 먼저 절연이 파괴되는 커패시터는? (단, 커패시터의 재질이나 형태는 동일하다.) 12 진공 중에서 점(1, 3)m의 위치에 -2×10-9C의 점전하가 있을 때 점(2, 1)m에 있는 1C의 점전하에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 는 단위벡터이다.)

13 진공 중에 무한 평면도체와 d(m)만큼 떨어진 곳에 선전하밀도 λ(C/m)의 무한 직선도체가 평행하게 놓여 있는 경우 직선 도체의 단위 길이당 받는 힘은 몇 N/m 인가? 14 그림은 커패시터의 유전체 내에 흐르는 변위전류를 보여준다. 커패시터의 전극 면적을 S(m2), 전극에 축적된 전하를 q(C), 전극의 표면전하 밀도를 σ(C/m2), 전극 사이의 전속밀도를 D(C/m2)라 하면 변위전류밀도 id(A/m2)는? 15 단면적이 균일한 환상철심에 권수 100회인 A코일과 권수 400회인 B코일이 있을 때 A코일의 자기 인덕턴스가 4H라면 두 코일의 상호 인덕턴스는 몇 H 인가? (단, 누설자속은 0 이다) 16 평행 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2 인 유전체를 그림과 같이 채우고, 극판 사이에 일정한 전압을 걸었을 때 두 유전체 사이에 작용하는 힘은? (단, ε1 ＞ ε2) 17 평균 자로의 길이가 10cm, 평균 단면적이 2cm2인 환상 솔레노이드의 자기 인덕턴스를 5.4mH 정도로 하고자 한다. 이때 필요한 코일의 권선수는 약 몇 회인가? (단, 철심의 비투자율은 15000 이다) 18 구좌표계에서 ∇2r 의 값은 얼마인가? (단, ) 19 투자율이 μ(H/m), 단면적이 S(m2), 길이가 l(m)인 자성체에 권선을 N회 감아서 I(A)의 전류를 흘렸을 때 이 자성체의 단면적 S(m2)를 통과하는 자속(Wb)은? 20 자계의 세기를 나타내는 단위가 아닌 것은? 21 그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수에서 전송파라미터 C의 값으로 옳은 것은? 22 펄스 변압기에서 상승시간(rase time)을 짧게 하기 위한 조건은? 23 RC 고역필터에 폭이 T인 단일 구형파를 입력했을 때 출력파는? (단, 시정수 τ ＜＜ T) 24 인 파형의 주파수는 약 몇 Hz 인가?

25 공급 전압이 100V이고, 회로에 전류가 10A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W 인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30° 이다.) 26 다음 회로에서 스위치(SW)를 충분한 시간동안 열어 놓았다가, 스위치(SW)를 닫고 2초 후에 회로에 흐르는 전류(I)는 약 몇 A 인가? 27 다음 회로의 전달 함수(V2/V1)는? 28 다음 회로망에서 단자 a, b에서 바라본 테브난 등가저항은 몇 Ω 인가? 29 이상적인 전압원의 내부 임피던스 Z는? 30 다음 회로에서 하이브리드 파라메터 h11과 h22은? 31 Norton의 정리에 대한 설명 중 ( ) 안의 내용으로 바르게 나열된 것은? 32 그림과 같은 회로에서 최대 전력이 공급되기 위한 복소임피던스(ZL)는? 33 다음 코사인 함수를 푸리에 급수 전개 시 스펙트럼에 대한 내용 중 옳은 것은? 34 다음 변압기 결선 방법 중 제3고조파를 발생하는 것은? 35 RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q는? (단, ωr은 공진 각주파수이다.) 36 다음과 같은 파형의 Laplace 변환은?

49 어떤 차동증폭기의 차동이득은 1000이며, 동상이득은 0.1 일 때, 동상신호 제거비 CMRR은 몇 dB 인가? 50 다음과 같은 궤환 증폭기의 전체 이득 Xo/Xi 는? 51 미분기의 입력에 삼각파형이 공급되면 출력파형은? (단, 입력전원 및 구성소자의 값은 미분가능영역에 존재한다.) 52 전압변동률은 출력전압이 부하변동에 대해 얼마만큼 변화 되는가를 나타내는 것인데 무부하시와 부하 시의 전압 변동률을 △V, 무부하시 출력 전압을 Vo, 부하 시 출력전압을 VL이라 할 때 전압 변동률 △V는? 53 어느 방송국의 송신출력이 15kW, 변조도 1, 안테나의 저항이 50Ω일 때 반송파의 크기는 얼마인가? 54 다음 중 BJT의 동작점 Q의 변동에 영향이 적은 것은? 55 고역 차단주파수가 1000kHz 인 증폭회로를 2단으로 종속 연결했을 때 종합 고역 차단주파수는 약 몇 kHz 인가? 56 다음 FET 증폭회로의 소신호 전압이득은? (단, 채널변조효과는 고려하지 않으며 gm = 8mS, RD = 5kΩ 이다.) 57 다음 수정 발진회로의 특징 중 틀린 것은? 58 A급 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은? 59 다음 중 입력 신호의 (+), (-)의 피크를 어느 기준 레벨로 바꾸어 고정시키는 회로는? 60 다음 연산증폭기를 이용한 회로에서 전류 IL은 몇 mA 인가? (단, V1 = 3V, V2 = 7V, RL = 15kΩ, R1 = R2 = R3 = R4 = 10kΩ이다.)

61 SCR 소자에 대한 설명 중 틀린 것은? 62 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은? 63 수은등에 들어있는 수은증기의 전리전압은 10.44V 이다. 전자를 충돌시켜서 이것을 전리시키는데 필요한 최소의 전자 속도는? (단, 전자의 질량 m = 9.109×10-31 [kg], 전기량 e = 1.602×10-19 [C]) 64 서미스터(thermistor) 용도로 틀린 것은? 65 3cm 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e = 1.602×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0 = 8.854×10-12[F/m]) 66 세기가 일정하고 균일한 자장내에 속도가 동일한 양성자, α입자 및 전자가 자력선에 수직한 면으로 입사하였을 때, 각 입자들은 등속 원운동을 한다. 이 때 각 입자들의 궤도 반경의 비는 어떠한가? (단, 전자의 질량은 양성자 질량의 1/1840 이고, rp : 양성자의 궤도반경, rα : α입자의 궤도반경, re : 전자의 궤도반경이다.) 67 건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은? 68 다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은? 69 다음 중 N형 반도체에서 농도의 관계식으로 옳은 것은? (단, n : 전자의 농도, p : 정공의 농도) 70 다음 중 PN 접합에 관한 설명 중 옳은 것은? 71 접합형 트랜지스터의 구조에 대한 설명으로 옳은 것은? 72 터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?

73 페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포함수에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, Ef : 페르미준위, f(E) : 페르미함수, k : 볼쯔만 상수, T : 절대온도 이다.) 74 페르미-디랙 분포(Fermi-Dirac distribution)에서 T = 0 K 일 때 분포 함수의 성질로 옳은 것은? (단, Ef : 페르미준위, f(E) = 페르미함수) 75 반도체의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은? 76 광전면에서 방출된 전자의 운동에너지는? (단, h는 plank의 상수이고, eø는 광전면의 일함수이다.) 77 공기 중에서 거리가 r 만큼 떨어진 두 점전하 q1, q2 사이에 작용하는 전기적인 인력은? (단, ε0은 진공의 유전율이다.) 78 재결합 중심(recombination center)의 원인이 되는 설명으로 틀린 것은? 79 발광 다이오드(LED)에 대한 설명 중 틀린 것은? 80 파울리(pauli)의 배타 원리에 관한 설명으로 옳은 것은? 81 다음 마이크로 명령어로 구성되는 명령어는? 82 다음 중 순서도(flowchart) 종류에 해당되지 않는 것은? 83 16개의 플립플롭으로 된 시프트 레지스터에 15(10)가 기억되어 있을 때, 3 비트만큼 왼쪽으로 시프트한 결과는? 84 C언어에서 변수 앞에 * 기호를 사용하는 데이터형은?

85 스택 메모리를 이용하여 수식 E = (A + B – C)× D 연산을 하려고 할 때, 연산 명령어 순서로 옳은 것은? 86 2의 보수를 이용하는 8비트 시스템에서 (-15) -3의 연산 결과는? 87 1024×16 비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Reigster)과 MBR(Memory Buffer Reigster)의 비트 수는? 88 논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은? 89 C 언어에 대한 설명 중 틀린 것은? 90 불대수 (A+B)(A+C)를 간략화 하면? 91 다음 설명의 입·출력 방식은? 92 16×1 멀티플렉서에서 필요한 선택신호는 몇 개인가? 93 부동소수점 표현 방식의 설명 중 틀린 것은? 94 다음 JK 플립플롭의 특성표에서 (a)와 (b)는? 95 다음 소프트웨어의 분류 중 성격이 다른 하나는? 96 7-bit 해밍 코드에서 오류를 수정할 때 Parity bit 의 위치는?

97 다음과 같은 명령어 형식을 만들기 위해 요구되는 명령의 최소 비트(bit)는? 98 사용자가 프로그래밍 할 수 없는 ROM은? 99 다음 karnaugh맵을 간략화 하면? 100 다음 중 마스크 연산을 하기 위해 사용하는 게이트는?