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문제은행 전자기사(2019년 2회) 77번

1 평행판 콘덴서의 판 사이가 진공으로 되어 정전 용량이 C0인 콘덴서가 있다. 이 콘덴서에 유전체를 삽입하여 정전 용량 C를 얻었다. 다음 중 틀린 것은? 2 무한 평면 도체표면에서 수직거리 d(m)만큼 떨어진 곳에 점전하 +Q(C)가 있다. 영상전하(image charge)와 평면도체 간에 작용하는 힘 F(N)는? 3 유전체의 경계조건에 대한 설명으로 틀린 것은? 4 전류에 의한 자계의 방향을 결정해 주는 것은? 5 0.2 Wb/m2의 평등자재 속에 자계와 직각방향으로 놓인 길이 30cm인 도선을 자계와 30도의 방향으로 30m/s의 속도로 이동시킬 때, 도체 양단에 유기되는 기전력은 몇 V 인가? 6 그림과 같이 두 개의 코일이 직렬로 연결되어 있다. 이 회로에 0.5A에 전류를 흘릴 때 이 합성코일에 축적되는 에너지는 몇 J 인가? (단, L1= 20mH, L2 = 40mH, 결합계수 k = 0.5 이다.) 7 자기인덕턴스 L의 단위는? 8 비유전율 εr = 80, 비투자율 μr = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가? 9 물(εr=80, μr=1) 속에서 전자파의 속도는 약 몇 m/s인가? 10 영구자석에 관한 설명으로 틀린 것은? 11 동심구형 콘덴서의 내외 반지름을 각각 10배로 증가시키면 정전용량은 몇 배로 증가하는가? 12 반경 a인 구도체에 –Q의 전하를 주고 구도체의 중심 O에서 10a되는 점 P에 10Q의 점전하를 놓았을 때, 직선 OP위의 점 중에서 전위가 0이 되는 지점과 구도체의 중심 O와의 거리는?

13 정전류가 흐르고 있는 무한 직선도체로부터 수직으로 0.1m만큼 떨어진 점의 자계의 크기가 100AT/m 이면 0.2m 만큼 떨어진 점의 자계의 크기(AT/m)는? 14 다음 중 무한 솔레노이드에 전류가 흐를 때에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은? 15 면적 A(m2), 간격 d(m)인 평행판 콘덴서의 전극판에 비유전율 εr인 유전체를 가득 채웠을 때 전극판 간에 전압 V(V)를 가하면 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 몇 N 인가? 16 변위 전류와 가장 관계가 깊은 것은? 17 두 개의 자극판이 놓여 있을 때 자계의 세기 H(AT/m), 자속밀도 B(Wb/m2), 투자율 μ(H/m)인 곳의 자계의 에너지밀도(J/m3)는? 18 환성철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는? 19 자성체에 외부의 자계 H0를 가하였을 때 자화의 세기 J와의 관계식은? (단, N은 감자율, μ는 투자율이다.) 20 무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρL은 선전하밀도, ρs는 평면전하밀도이다.) 21 코일과 콘덴서에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은? 22 L1 = 20H, L2 = 5H인 전자 결합회로에서 결합계수 K = 0.5일 때 상호인덕턴스 M은 몇 H 인가? 23 오버슈트(overshoot)의 정의로 옳은 것은? 24 다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?

25 선형 회로에서 시변 용량을 갖는 커패시터의 전류 i(t)는? 26 RL 직렬회롤에서 t=0일 때 직류 전압 100V를 인가하면, 흐르는 전류 i(t)는 몇 A 인가? (단, R = 50Ω, L = 10, i(0) = 0 이다.) 27 te-t의 Laplace 변환값은? 28 입력신호가 감쇠되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 용어는? 29 이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는? 30 다음 회로에서 전류 i1은 약 몇 A 인가? 31 그림과 같은 저역통과 RC회로에 스텝입력전압(step input voltage)을 가했을 때 출력전압의 설명으로 옳은 것은? (단, 커패시터 C의 초기전압은 0 이다.) 32 0.4mH인 코일에 흐르는 전류가 mA라 하면 t = 0 일 때 코일 양단전압의 절대치는 몇 V 인가? 33 다음 전류파형의 실효치(RMS)는? 34 전압 e(t) = e-t + 2e-2t의 라플라스 변환 E(s)는? 35 다음의 단위 임펄스 함수(unit impulse function) δ(t)에 관한 설명으로 옳은 것은? 36 어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01s 사이에 일정하게 50A로부터 30A로 변할 때, 20V의 기전력이 발생한다고 하면 자기인덕턴스는 몇 mH인가?

37 다음 신호 에 대한 라플라스 변환은? 38 RLC 병렬공진회로에 대한 양호도(Qo : Quality factor)의 표현으로 옳은 것은? 39 1000mH인 코일의 리액턴스가 377Ω일 때 주파수는 약 몇 Hz인가? 40 다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낼 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.) 41 레큘레이터 IC의 정전압조정기가 무부하 출력전압 10.55V, 최대 부하 출력전압 10.49V 일 때, 백분율로 표현된 부하전압 변동률은 약 몇 % 인가? 42 다이오드에 대한 설명 중 틀린 것은? 43 다음의 단상반파 정류회로에서 입력신호가 e = √2·100·sin(50×2πt) V일 때, 직류 전압 평균치 Edc는 약 몇 V 인가? (단, R = 10Ω이고, 다이오드는 이상적인 소자) 44 펄스 반복주파수 600Hz, 펄스폭 1.5μs인 펄스의 충격계수 D(Duty factor)는? 45 다음 연산증폭기 회로에서 출력 임피던스는 약 몇 Ω인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50Ω 이다.) 46 슬루 레이트(slew rate)의 단위는? 47 연산증폭기를 이용한 가중가산기(weighted-sum)에서 Rf=30kΩ이고, vo = -(v1+2v2+3v3)일때 R1, R2, R3는 각각 얼마인가? 48 발진 회로의 발진의 조건을 옳은 것은?

49 단위이득주파수 fT가 125MHz인 트랜지스터가 대역폭 주파수 영역에서 전압이득이 26dB인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 가질 수 있는 대역폭은 약 몇 MHz인가? (단, 저역 차단주파수는 없다.) 50 다음은 이상적인 연산 증폭기를 사용한 차동증폭기이다. 출력전압 Vo는 몇 V 인가? 51 다음의 트랜지스터 회로에서 VCC가 10V, RB가 300kΩ이고 RC가 1kΩ일 때, 베이스전류 IB 컬렉터-이미터 전압 VCE로 옳은 것은? (단, VBE = 0.7V이고, β = 100 이다.) 52 출력 전압파형이 입력파형과 똑같은 형태를 갖는 증폭기는? (단, 위상 무시) 53 이 회로의 동작으로 적절한 논리식은? 54 전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가? 55 부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은? 56 아래는 7 세그면트 LED 디스플레이의 진리표이다. a~g의 세그먼트 중에서 d세그먼트를 동작시키기 위한 출력 Yd의 논리회로의 식은? (단, 1010 ~ 1111은 don't care 조건이다.) 57 트랜지스터 회로가 선형영역에서 동작할 때의 관계식으로 틀린 것은? 58 B급 푸시풀(push-pull) 증폭기의 직류 공급 전력은? (단, VCC는 공급 전압, Im은 최대 컬렉터 전류이다.) 59 어떤 차동증폭기의 차동이득은 1000이며, 동상이득은 0.1일 때, 동상신호 제거비 CMRR은 몇 dB인가? 60 다음 회로의 입출력 특성곡선으로 적절한 것은? (단, R = 10Ω, 다이오드는 이상적인 소자이며, slope은 절댓값이다.)

61 접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은? 62 다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은? 63 진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은? 64 물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은? 65 열전자 방출을 할 때 전계에 의해서 일함수가 적어져서 열전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가? 66 터널 효과의 가능성을 나타내는 원리는 어느 것인가? 67 어느 열음극의 일함수(work functuon)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가? 68 순방향 바이어스전압이 PN접합 다이오드 양단에 인가될 때 공핍층 가까이에서 소수캐리어의 농도의 변화는 어떻게 되는가? 69 터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은? 70 트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게 하는 이유로 가장 적절한 것은? 71 광도전 반도체 소자는? 72 다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

85 8진수 (375.24)8를 10진수의 표현으로 옳은 것은? 86 다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은? 87 서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는? 88 interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은? 89 홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.) 90 다음 프로그램을 수행했을 때 그의 결과는 무엇인가? 91 분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 –75H인 경우 분기되는 주소의 위치는? 92 다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는? 93 중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은? 94 RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은? 95 다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은? 96 주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?

97 다음의 C 프로그램을 무엇을 입력한 것인가? 98 16개의 레지스터를 가진 CPU는 몇 비트의 레지스터 지정 필드를 가져야 하는가? 99 우선순위에 의한 중재 방식 중 중재 동작이 끝날 때마다 모든 마스터들의 우선순위가 한단계씩 낮아지고 가장 낮았던 마스터가 최상위 우선순위를 가지는 방식은? 100 다음 중 RAM에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?