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문제은행 반도체설계산업기사(2017년) 65번

1 1s22s22p63s23p4로 원자가 배열이 되어 있다. 이 원소의 원자 번호는 어떻게 되는가? 2 실리콘 웨이퍼에 인(P) 원자를 2×1018m-3로 도핑 하였다. 열평형 상태에서 홀(hole)의 농도는? (단, ni = 1.5×1018m-3라 가정한다.) 3 베이스 공통 트랜지스터의 동작 상태를 4가지로 분류할 때 차단영역에 해당하는 것은? 4 제너다이오드에 대한 설명으로 옳은 것은?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.) 5 반도체 재료의 성질이 아닌 것은? 6 실리콘 공정에서 산화막(SiO2)의 용도가 아닌 것은? 7 n형 실리콘 반도체를 만들려고 할 때, 사용할 수 없는 불순물 원자는? 8 공유결합에 관한 설명 중 틀린 것은? 9 반도체 재료의 결정을 표시함에 있어서 격자내의 면이나 방향을 표시하는데, 각 방향의 기본 벡터의 정수배로 나타낸 값의 비율을 역수로 나타내는 방법은? 10 MOSFET의 단자로 틀린 것은? 11 증가형 MOSFET의 문턱전압(threshold voltage, VT)에 대한 설명 중 옳은 것은? 12 반도체 재료에 전계를 인가함에 의해서 발생되는 전류를 무엇이라고 하는가?

13 pn접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는? 14 터널 다이오드에 관한 설명 중 틀린 것은? 15 다이오드에 바이어스를 인가할 때 P형에 양(+)전원을 N형에 음(-) 전원을 연결하는 방식은? 16 MOSFET과 JFET의 가장 큰 차이점은? 17 pn접합의 항복현상 중의 하나인 사태항복(avalanche breakdown)이 발생되는 경우는? 18 다음 실리콘의 원소 배열 표현이 맞는 것은? 19 다음 그림과 같은 소자와 관련하여 옳지 않은 것은? 20 pn접합에서 순방향 바이어스를 인가하였을 때 일어나는 현상은? 21 펄스부호변조(PCM)에 대한 설명 중 틀린 것은? 22 교차 일그러짐(crossover distortion) 현상은 어느 증폭기에서 발생하는가? 23 부귀환 증폭기에서 Aβ≫1의 경우 증폭기 이득의 안정성이 향상되는 이유는? 24 펄스회로의 출력이 Vo = 1 – e-0.1t일 때 시정수 몇 초인가?

25 맥동률(γ)에 관한 설명으로 올바른 것은? 26 PCM 회로에서 빈칸 A의 회로는? 27 회로의 전달 특성은? (단, Q1과 Q2 트랜지스터는 스위치용이다.) 28 그림의 입출력 특성을 가지는 회로는? 29 소신호 증폭기의 설명으로 옳은 것은? 30 FM신호의 검파회로에서 별도의 진폭제한회로가 필요 없는 회로는? 31 전압 증폭도가 100인 증폭기의 전압이득은 몇 dB인가? 32 컬렉터 접기 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은? 33 회로에서 Ei=1V일 때 전류 IL은 몇 mA인가? 34 FET 증폭기의 고주파 응답을 결정하는 것은? 35 회로에서 컬렉터 전류 IC를 구하면?（단, β=100 이고, VBE=0.7 이다.) 36 연산증폭기 회로에 그림(a)를 입력할 때 그림(b)와 같은 출력이 나타나는 현상은?

37 연산증폭기의 스위칭 특성에 가장 크게 영향을 주는 것은? 38 증폭도 A가 매우 큰 증폭기에 귀환율 β의 부귀환을 가한 경우 전압이득은? 39 교류를 직류전원으로 변환할 때 사용되지 않는 부품은? 40 다이오드의 전하축적 효과가 없을 때 옳은 것은? 41 그림과 같은 전가산기(Full adder)의 입력이 A=1,B=0,C=1일 때 출력으로 옳은 것은? (단, So : Sum, Co : Carry이다.) 42 Shift register 안에 있는 binary number가 5번 Shift left 되었다. 현재 number 크기는 다음 중 어느 것에 해당되는가? (단, shift register의 길이는 충분하며 shift-in되는 bit는 모두 0 이다.) 43 반가산기의 합 또는 반감산기의 차를 얻기 위해 필요한 게이트는? 44 4단 하향 Counter에서 10번째 클록펄스가 인가되면 각 단이 나타내는 2진수를 10진수로 변환하면? 45 D 플립플롭에서 D 입력에 입력한 데이터의 각 비트는 클럭 펄스 몇 개의 시간만큼 늦어서 Q 출력에 도달하는가? 46 다음 중 조합논리회로에 해당하는 것은? 47 다음 논리회로의 출력식으로 옳은 것은? 48 n비트의 입력으로 2n개의 출력 중의 하나를 1로 설정하도록 하는 장치는?

49 원 정보부호가 1011 일 때 이것의 짝수 패리티 해밍코드(Hamming Code)를 구하면? 50 시프트 레지스터(shift register)를 만드는데 가장 적합한 플립플롭은? 51 아래 펄스발생기 중에서 한 상태에서만 안정되고 다른 상태에서는 불안정하여 일정한 시간 후에는 안정상태로 돌아가는 회로는? 52 다음과 같이 연결된 RS 플립플롭은 어떤 플립플롭과 같은 기능을 하는가? 53 JK 플립플롭에서 J=1, K=1 일 때의 출력 결과는? 54 다음 논리회로의 출력 D를 불대수 식으로 간략화하여 옳게 나타낸 것은? 55 5개의 플립플롭으로 구성된 상향 계수기의 모듈러스(modulus)와 이 계수기로 계수 할 수 있는 최댓값은? 56 다음은 2개 입력 A,B를 가지는 NAND게이트의 진리표이다. z0,z1,z2,z3에 알맞은 이진 값은? 57 10진수 22를 3초과 코드(Excess-3 code)로 변환한 것은? 58 일반적으로 n비트의 2진 병렬가산기는 어떻게 구성되는가? 59 한 플립플롭의 출력이 다른 플립플롭을 구동시키는 계수기는? 60 우측이동 레지스터가 1001을 기억하고 있을 때, 클럭펄스가 2개 인가되면 각단의 값은? (단, 입력 데이터는 0 이다.)

73 게이트 어레이 방식 설계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? 74 NAND 게이트 함수를 정적 CMOS 로직으로 설계할 경우 nMOS 로직과 pMOS 로직 구현을 위한 부울 식을 올바르게 표현한 것은? 75 다음 회로와 같은 nMOS의 병렬구조에 대한 설명 중 틀린 것은? 76 MOS 트랜지스터에서 게이트 출력이 “1” 또는 “0” 레벨에 있을 경우 DC 전력을 거의 소모하지 않는 디바이스는? 77 다음 중 디지털 회로 설계에서 회로 추출(circuit extraction)에 관한 설명 중 옳은 것은? 78 CMOS 디지털 집적회로의 동적 전력소모에 대한 설명으로 틀린 것은? 79 정적 CMOS 로직(static CMOS logic)에 대한 설명으로 틀린 것은? 80 n채널 증가형 MOSFET에서 VGS = -5V, VDS = 13V일 때, 드레인에 흐르는 전류는 얼마인가?