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문제은행 반도체설계산업기사(2019년) 69번

1 PN 접합 다이오드에서 순방향 바이어스를 인가해주면 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은? 2 반도체 재료에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은? 3 MOSFET와의 설명으로 틀린 것은? 4 MOS 집적회로 공정에서 가장 소형화하기 어려운 소자는? 5 전류가 역방향 바이어스에 의해 차단되면 나타나는 현상으로 옳은 것은? 6 BJT 회로에서 출력전압과 입력전압이 거의 동위상이 되어 이미터 폴로어(emitter follower)라고도 부르는 회로는? 7 P형과 N형 반도체에서 다수 반송자(Carrier)를 옳게 나타낸 것은? 8 MOSFET 소자의 채널 폭과 길이가 짧아지면서 발생하는 단채널 효과(short channel effect)가 아닌 것은? 9 실리콘 잉곳이 1016 비소원자/cm3로 도핑되어 있을 때, 실온에서의 캐리어 농도는 얼마인가? (단, 진성 캐리어 밀도는 1.5×1010/cm3이다.) 10 Si(실리콘) 원소에 대한 설명 중 틀린 것은? 11 실리콘 공정에서 산화막에 대한 설명으로 틀린 것은? 12 도체에 1A의 전류가 흐를 때 1초 동안에 기준 단면적을 통과하는 전자의 개수는? (단, 전하의 전하량은 –1.6×10-19C)

13 쌍극성 접합 트랜지스터에 대한 설명 중 옳은 것은? 14 계단 접합인 PN 접합에서 P영역과 N영역의 불순물 밀도가 각각 1018cm-3, 1015cm-3 일 때, 상온에서의 접촉전위차는 얼마인가? (단, K·T/q = VT = 26mV 이고, 진성 캐리어의 농도 ni = 1.5×1010cm-3으로 가정) 15 부성저항 특성을 가지는 다이오드는? 16 PN 접합의 전압전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은? 17 순수(진성) 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위 0.9eV, 가전자대의 준위가 1.6eV이면 순수 반도체의 에너지 갭은 몇 eV인가? 18 PN 접합 다이오드의 온도 특성에 대한 설명 중 옳은 것은? 19 바이폴라 트랜지스터에서 이미터 접합이 순바이어스 컬렉터 접합이 역바이어스인 경우에 동작하는 영역은? 20 디지털 집적회로에서 가장 일반적으로 사용되는 금속-절연체-반도체 구조를 갖는 트랜지스터는? 21 다음 회로의 이름으로 옳은 것은? 22 다음 회로에서 출력 Vo의 전압은? (단, OPAMP는 이상적이다.) 23 다음에서 피변조파 V=Vc•(1+m coswt)•sinωt 이며, 반송파의 진폭은 4V, 변조도는 50%인 경우 직선 검파를 할 때 부하저항에 나타나는 신호파의 실효치 전압은 약 몇 V 인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.)(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.) 24 어떤 차동 증폭기의 차동모드 전압이득이 5000, 동상모드 전압이득이 0.25일 때, CMRR은 약 몇 dB인가?

25 다음 중 FET의 특징으로 옳은 것은? 26 이상적인 펄스파형에서 펄스폭이 20us이고, 펄스의 반복 주파수가 1000Hz일 때, 이 펄스파의 점유율 D는 얼마인가? 27 증폭기의 대역폭 정의로 맞는 것은? 28 다음 정류회로에서 다이오드에 걸리는 피크 역전압(PIV)은 몇 V인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.) 29 다음 회로에서 궤환율 β는 얼마인가?(오류 신고가 접수된 문제입니다. 반드시 정답과 해설을 확인하시기 바랍니다.) 30 다음 원소 중 도너원자로 틀린 것은? 31 다음 중 정현파를 입력하면 구형파가 출력되는 회로는? 32 다음 트랜지스터(BJT)의 동작점 중 증폭기로 동작하기 위한 영역은? 33 다음 회로의 출력파형은 어느 것인가? (단, 다이오드는 이상적인 소자이다.) 34 다음 중 트랜지스터 회로를 증폭기로 사용하기 위해 바이어스를 설계 시 가장 적절한 것은? 35 어떤 증폭기가 전압 이득(Av)이 50이고, 차단주파수(fc)가 20Hz일 때, 궤환 시 전압이득이 40이 되었다면, 변경된 차단주파수는 몇 Hz 인가? 36 다음 연산증폭기의 특성 중 슬루 레이트(slew rate)에 가장 영향을 많이 받는 특성은?

37 다음 중 트랜지스터(BJT) 증폭기 구성에서 C급 증폭기의 가장 큰 장점은? 38 반파정류기와 전파정류기의 다이오드 저항과 부하저항이 서로 같을 때 두 정류기의 전압 변동률 관계는? 39 전압 증폭도가 항상 1보다 작은 증폭회로는? 40 다단(3단) 증폭기의 전체 전압 이득은 약 몇 dB인가? (단, 각단의 전압이득Av1=10, Av2=15, Av3=20 이다.) 41 논리식 를 간략히 하면? 42 다음 D플립플롭의 진리표에서 에 가장 (A), (B)에 적합한 값은? 43 다음 중 회로의 명칭과 출력함수식이 모두 옳은 것은? 44 다음 논리회로의 기능으로 가장 옳은 것은? (단, 입력은 A, B로 합 또는 차는 X로, 자리올림 혹은 내림수는 Y로 표시한다.) 45 2진수 (110010101001)2를 16진수로 표시하면? 46 10진수로 1000까지 계수할 수 있는 업 카운터(up counter)는 최소 몇 개의 플립플롭으로 구성되어야 하는가? 47 BCD code 0110 1001 1000을 10진수로 변환한 것으로 옳은 것은? 48 다음 중 4비트 시프트 레지스터의 구성으로 가장 옳은 것은?

49 조합논리회로의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? 50 다음 회로에 대한 설명 중 맞는 것은? 51 어떤 메모리가 16 개의 번지입력(address input), 4개의 데이터 입력, 4개의 데이터 출력을 가지고 있다고 가정할 때, 이 메모리의 용량은? 52 다음 그림과 같은 회로의 논리식 F는? 53 다음 그림에서 JK플립플롭을 완성하기 위한 가장 옳은 버스(Bus) 결선 방법은? 54 다음 회로의 동작 상태와 가장 부합하는 카운터의 종류는? 55 논리식 의 보수를 구하면?(정확한 보기내용을 아시는 분께서는 오류 신고를 통하여 내용작성 부탁드립니다. 정답은 2번입니다.) 56 다음 3 상태 논리 인버터에 A=High 이고, C=1 인 경우 출력 Y의 상태는? (단, C는 Enable이다.) 57 연산 회로에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은? 58 플립플롭(flip-flop)을 응용해서 만들 수 없는 것은? 59 다음 논리식을 가장 간단히 나타낸 것은? (단, d는 무정의 조건(don't care 임)) 60 에러(Error)를 검출하여 교정할 수 있는 코드는?

73 다음 중 일반적인 CMOS 회로에 대한 설명과 거리가 먼 것은? 74 게이트 어레이 설계기법의 일종으로 배선영역 없이 설계하는 기술은? 75 동일한 조건에서 MOS 트랜지스터의 게이트 산화막 두께가 2배 증가하면 포화영역에서의 드레인 전류는 어떻게 변하는가? 76 LSI 설계 시 논리 설계 단계에서 고려해야 할 사항에 해당하지 않는 것은? 77 CMOS domino 로직회로를 사용할 때의 특성에 해당되지 않는 것은? 78 집적회로 칩 레이아웃에 있어서 평면계획과 거리가 먼 것은? 79 레이아웃 설계가 끝난 후, 레이아웃 설계 자료를 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 하는 것은? 80 MOS 트랜지스터에서 게이트에서의 커패시턴스 관계식은? (단, L은 게이트의 길이, W는 게이트의 폭, Tox는 산화막의 두께, Cox는 SiO2의 유전율을 의미한다.)