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기출문제 9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 14번
객관식 9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 04월 14번

증가형 n-채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

1
기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.
2
채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.
3
채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.
4
드레인-소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.
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